casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VUO110-18NO7
Número da peça de fabricante | VUO110-18NO7 |
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Número da peça futura | FT-VUO110-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VUO110-18NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.8kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 127A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 50A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1800V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | PWS-E1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PWS-E1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-18NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VUO110-18NO7-FT |
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel