casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VUO110-08NO7
Número da peça de fabricante | VUO110-08NO7 |
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Número da peça futura | FT-VUO110-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VUO110-08NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 127A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 50A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 800V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | PWS-E1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PWS-E1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-08NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VUO110-08NO7-FT |
VS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
LFEC33E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
Intel