casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / VUO110-08NO7
Número da peça de fabricante | VUO110-08NO7 |
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Número da peça futura | FT-VUO110-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VUO110-08NO7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 127A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 50A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 800V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | PWS-E1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PWS-E1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-08NO7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VUO110-08NO7-FT |
VS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel