casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VSSAF3M6-M3/I
Número da peça de fabricante | VSSAF3M6-M3/I |
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Número da peça futura | FT-VSSAF3M6-M3/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF3M6-M3/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacitância @ Vr, F | 500pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3M6-M3/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VSSAF3M6-M3/I-FT |
UG06A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel