casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs - Módulos / VS-VSKN105/12
Número da peça de fabricante | VS-VSKN105/12 |
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Número da peça futura | FT-VS-VSKN105/12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-VSKN105/12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Estrutura | Common Anode - SCR/Diode |
Número de SCRs, diodos | 1 SCR, 1 Diode |
Tensão - Estado Desligado | 1.2kV |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 105A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 235A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 150mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2000A, 2094A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 250mA |
Temperatura de operação | -40°C ~ 130°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | ADD-A-PAK (3 + 4) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKN105/12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-VSKN105/12-FT |
VS-VSKH162/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1C3T100I7N
Intel
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6N
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
XC5VLX30-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG100
Microsemi Corporation
10AX090N4F40I3SG
Intel
5AGXBB5D4F35C4N
Intel