casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VS-VSKJ320-08PBF
Número da peça de fabricante | VS-VSKJ320-08PBF |
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Número da peça futura | FT-VS-VSKJ320-08PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-VSKJ320-08PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 160A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 800V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | 3-MAGN-A-PAK™ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MAGN-A-PAK® |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKJ320-08PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-VSKJ320-08PBF-FT |
MBR10100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR1060CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2-G1
Diodes Incorporated
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel