casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-MURB820TRR-M3
Número da peça de fabricante | VS-MURB820TRR-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-MURB820TRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FRED Pt® |
VS-MURB820TRR-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURB820TRR-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-MURB820TRR-M3-FT |
VB30100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.