casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-MBR1035-N3
Número da peça de fabricante | VS-MBR1035-N3 |
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Número da peça futura | FT-VS-MBR1035-N3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-MBR1035-N3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacitância @ Vr, F | 600pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR1035-N3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-MBR1035-N3-FT |
20ETF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
20L15T
Vishay Semiconductor Diodes Division
30ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH03
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel