casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-E5TH3012-N3
Número da peça de fabricante | VS-E5TH3012-N3 |
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Número da peça futura | FT-VS-E5TH3012-N3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FRED Pt® |
VS-E5TH3012-N3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 113ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-E5TH3012-N3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-E5TH3012-N3-FT |
BAS381-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS381-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV300-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV300-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation