casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-8TQ100STRR-M3
Número da peça de fabricante | VS-8TQ100STRR-M3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-VS-8TQ100STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-8TQ100STRR-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 550µA @ 80V |
Capacitância @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ100STRR-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-8TQ100STRR-M3-FT |
VS-25ETS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel