casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-8TQ080-N3
Número da peça de fabricante | VS-8TQ080-N3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-VS-8TQ080-N3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-8TQ080-N3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 180°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ080-N3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-8TQ080-N3-FT |
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH03
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETL06
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETX06
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel