casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-8EWS12S-M3
Número da peça de fabricante | VS-8EWS12S-M3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-VS-8EWS12S-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-8EWS12S-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8EWS12S-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-8EWS12S-M3-FT |
BAS16WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS16WE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS16WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAS69WFILM
STMicroelectronics
BAS70WFILM
STMicroelectronics
BAT 54W E6327
Infineon Technologies
BAT30WFILM
STMicroelectronics
BAT41WFILM
STMicroelectronics
BAT54WH6327XTSA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel