casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VS-63CTQ100-M3
Número da peça de fabricante | VS-63CTQ100-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-63CTQ100-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-63CTQ100-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 60A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 300µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-63CTQ100-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-63CTQ100-M3-FT |
V40150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MUR1620CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MUR1020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V4000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17C8L
Intel
XC6VLX550T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19I7N
Intel
5CEFA7U19C8N
Intel
EPF10K100EBC356-2N
Intel
EP1S80F1020C5N
Intel
EP20K1500EFC33-3
Intel