casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-4EGU06-M3/5BT
Número da peça de fabricante | VS-4EGU06-M3/5BT |
---|---|
Número da peça futura | FT-VS-4EGU06-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FRED Pt® |
VS-4EGU06-M3/5BT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 4A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 39ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AA, SMB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-4EGU06-M3/5BT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-4EGU06-M3/5BT-FT |
SS19-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel