casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-30WQ10FN-M3
Número da peça de fabricante | VS-30WQ10FN-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-30WQ10FN-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-30WQ10FN-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30WQ10FN-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-30WQ10FN-M3-FT |
VS-6EWX06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel