casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VS-30CTQ060-N3
Número da peça de fabricante | VS-30CTQ060-N3 |
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Número da peça futura | FT-VS-30CTQ060-N3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-30CTQ060-N3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 800µA @ 60V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ060-N3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-30CTQ060-N3-FT |
UG18DCT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8HCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8HCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8JCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8JCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel