casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-20ETF02-M3

| Número da peça de fabricante | VS-20ETF02-M3 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-VS-20ETF02-M3 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| VS-20ETF02-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 60ns |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 200V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-220-2 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
| Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VS-20ETF02-M3 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | VS-20ETF02-M3-FT |

MBR7H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR7H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR7H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

NS8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

NS8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

NS8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

NS8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

NS8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.

M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation

M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation

5SGXEA5K2F40C2N
Intel

10AX027H3F34E2SG
Intel

XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.

LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation

5AGXMA7G4F31C4N
Intel

EP2AGX95EF35C6ES
Intel