casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VS-20CTQ150-1-011P
Número da peça de fabricante | VS-20CTQ150-1-011P |
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Número da peça futura | FT-VS-20CTQ150-1-011P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
VS-20CTQ150-1-011P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 300V |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CTQ150-1-011P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-20CTQ150-1-011P-FT |
VI30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel