casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-12TQ045STRR-M3
Número da peça de fabricante | VS-12TQ045STRR-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-12TQ045STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-12TQ045STRR-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Atual - Média Retificada (Io) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 560mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1.75mA @ 45V |
Capacitância @ Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12TQ045STRR-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-12TQ045STRR-M3-FT |
VS-10ETF10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel