casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-10ETF06S-M3
Número da peça de fabricante | VS-10ETF06S-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-10ETF06S-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-10ETF06S-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 200ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF06S-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-10ETF06S-M3-FT |
VB30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel