casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-10ETF06S-M3
Número da peça de fabricante | VS-10ETF06S-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-10ETF06S-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-10ETF06S-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 200ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF06S-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-10ETF06S-M3-FT |
VB30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel