casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-10ETF02-M3
Número da peça de fabricante | VS-10ETF02-M3 |
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Número da peça futura | FT-VS-10ETF02-M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-10ETF02-M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 200ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF02-M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-10ETF02-M3-FT |
SE50PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation