casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VS-10BQ030-M3/5BT
Número da peça de fabricante | VS-10BQ030-M3/5BT |
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Número da peça futura | FT-VS-10BQ030-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-10BQ030-M3/5BT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacitância @ Vr, F | 200pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AA, SMB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10BQ030-M3/5BT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-10BQ030-M3/5BT-FT |
US1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel