casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VP2206N3-G-P003
Número da peça de fabricante | VP2206N3-G-P003 |
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Número da peça futura | FT-VP2206N3-G-P003 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VP2206N3-G-P003 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 640mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 740mW (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP2206N3-G-P003 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VP2206N3-G-P003-FT |
LND150N3-G-P003
Microchip Technology
VN0109N3-G
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TN5325N3-G
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VN0104N3-G
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ZVN4310A
Diodes Incorporated
DN2530N3-G
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LND150N3-G
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TP2104N3-G
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TN0104N3-G
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LP0701N3-G
Microchip Technology
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel