casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VP0104N3-G
Número da peça de fabricante | VP0104N3-G |
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Número da peça futura | FT-VP0104N3-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VP0104N3-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP0104N3-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VP0104N3-G-FT |
IRF5804TRPBF
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5CGXFC7B6M15I7N
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EP4SGX530KH40C3NES
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5SGXEA5K1F35I2N
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XC6VLX365T-1FF1156I
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LCMXO2-7000HE-6BG332C
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