casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VN2410L-G-P013
Número da peça de fabricante | VN2410L-G-P013 |
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Número da peça futura | FT-VN2410L-G-P013 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VN2410L-G-P013 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 240V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 190mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2410L-G-P013 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VN2410L-G-P013-FT |
ZVNL110ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN2110A
Diodes Incorporated
ZVP0545A
Diodes Incorporated
BS170P
Diodes Incorporated
ZVN4206AVSTZ
Diodes Incorporated
2N7000
ON Semiconductor
ZVN3310ASTZ
Diodes Incorporated
BS107P
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTZ
Diodes Incorporated
BS107PSTZ
Diodes Incorporated
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel