casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VN0104N3-G-P013
Número da peça de fabricante | VN0104N3-G-P013 |
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Número da peça futura | FT-VN0104N3-G-P013 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VN0104N3-G-P013 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 65pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN0104N3-G-P013 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VN0104N3-G-P013-FT |
ZVN4206A
Diodes Incorporated
BS270
ON Semiconductor
ZVN2110ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN0124A
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTZ
Diodes Incorporated
VN10LP
Diodes Incorporated
ZVP2110A
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN3310A
Diodes Incorporated
ZVN4206AV
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel