casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / VLS252010HBU-3R3M
Número da peça de fabricante | VLS252010HBU-3R3M |
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Número da peça futura | FT-VLS252010HBU-3R3M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | VLS-HBU |
VLS252010HBU-3R3M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.24A |
Atual - saturação | 2A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252010HBU-3R3M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VLS252010HBU-3R3M-FT |
VLS3010ET-2R2M
TDK Corporation
VLS3010ET-4R7M
TDK Corporation
VLS3010T-100MR65
TDK Corporation
VLS3010T-2R2M1R3
TDK Corporation
VLS3010T-4R7MR80
TDK Corporation
VLS3010T-6R8MR75
TDK Corporation
VLS252012ET-2R2M
TDK Corporation
VLS252012ET-3R3M
TDK Corporation
VLS252012ET-100M
TDK Corporation
VLS201612ET-4R7M
TDK Corporation
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel