casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VI20120CHM3/4W
Número da peça de fabricante | VI20120CHM3/4W |
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Número da peça futura | FT-VI20120CHM3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VI20120CHM3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 700µA @ 120V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI20120CHM3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VI20120CHM3/4W-FT |
VS-MBR1545CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2090CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2090CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2535CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel