casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VI20120C-M3/4W
Número da peça de fabricante | VI20120C-M3/4W |
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Número da peça futura | FT-VI20120C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VI20120C-M3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 700µA @ 120V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI20120C-M3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VI20120C-M3/4W-FT |
VS-UFB130FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFB280FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFL230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFB230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFB280FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFB130FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-403CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-203CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-400CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-401CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel