casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VFT2080C-M3/4W
Número da peça de fabricante | VFT2080C-M3/4W |
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Número da peça futura | FT-VFT2080C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
VFT2080C-M3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 600µA @ 80V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT2080C-M3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VFT2080C-M3/4W-FT |
BAW56-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel