casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VFT2060G-M3/4W
Número da peça de fabricante | VFT2060G-M3/4W |
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Número da peça futura | FT-VFT2060G-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VFT2060G-M3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 700µA @ 60V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT2060G-M3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VFT2060G-M3/4W-FT |
BAW56-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW56-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel