casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VFT2060G-M3/4W

| Número da peça de fabricante | VFT2060G-M3/4W |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-VFT2060G-M3/4W |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| VFT2060G-M3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
| Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 700µA @ 60V |
| Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VFT2060G-M3/4W Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | VFT2060G-M3/4W-FT |

BAW56-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW56-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW56-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation

XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.

A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation

LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K1000CF672C7GZ
Intel

EP3C120F484I7
Intel

5SGXEA4K3F40C2LN
Intel

5SGXMA3E3H29I3LN
Intel

EP4CGX30BF14C8
Intel

10M02DCV36I7G
Intel