casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VFT10200C-E3/4W
Número da peça de fabricante | VFT10200C-E3/4W |
---|---|
Número da peça futura | FT-VFT10200C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
VFT10200C-E3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT10200C-E3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VFT10200C-E3/4W-FT |
BAV23C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel