casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VFT10200C-E3/4W
Número da peça de fabricante | VFT10200C-E3/4W |
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Número da peça futura | FT-VFT10200C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
VFT10200C-E3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT10200C-E3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VFT10200C-E3/4W-FT |
BAV23C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel