casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VF20120SG-M3/4W
Número da peça de fabricante | VF20120SG-M3/4W |
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Número da peça futura | FT-VF20120SG-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VF20120SG-M3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20120SG-M3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VF20120SG-M3/4W-FT |
VS-10ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF04FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel