casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / VBT3045BP-E3/8W
Número da peça de fabricante | VBT3045BP-E3/8W |
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Número da peça futura | FT-VBT3045BP-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
VBT3045BP-E3/8W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Atual - Média Retificada (Io) | 30A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 2mA @ 45V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | 200°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3045BP-E3/8W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VBT3045BP-E3/8W-FT |
MBRB745HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB745HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel