casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VBT2060G-E3/8W
Número da peça de fabricante | VBT2060G-E3/8W |
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Número da peça futura | FT-VBT2060G-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VBT2060G-E3/8W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 700µA @ 60V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT2060G-E3/8W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VBT2060G-E3/8W-FT |
SBLB1040CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB25L30CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB25L30CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100CT-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel