casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VB60170G-E3/8W
Número da peça de fabricante | VB60170G-E3/8W |
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Número da peça futura | FT-VB60170G-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
VB60170G-E3/8W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 170V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.02V @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 450µA @ 170V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB60170G-E3/8W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VB60170G-E3/8W-FT |
V40DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel