casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / VB30100C-E3/4W
Número da peça de fabricante | VB30100C-E3/4W |
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Número da peça futura | FT-VB30100C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
VB30100C-E3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100C-E3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VB30100C-E3/4W-FT |
V10DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel