casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / V60200PGW-M3/4W
Número da peça de fabricante | V60200PGW-M3/4W |
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Número da peça futura | FT-V60200PGW-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
V60200PGW-M3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.48V @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 210µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PW |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V60200PGW-M3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | V60200PGW-M3/4W-FT |
CDST-99-G
Comchip Technology
ACDST-70-G
Comchip Technology
ACDST-99-G
Comchip Technology
CDBT-40S-G
Comchip Technology
CDBT-54A-G
Comchip Technology
CDBT-54C-G
Comchip Technology
CDBT-54S-G
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CDBT-70C-G
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CDBT-70S-G
Comchip Technology
CDST-21A-G
Comchip Technology
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
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EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel