casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / V30M100M-E3/4W
Número da peça de fabricante | V30M100M-E3/4W |
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Número da peça futura | FT-V30M100M-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
V30M100M-E3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V30M100M-E3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | V30M100M-E3/4W-FT |
MBR30H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL25L30CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100R-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100K-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35100C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel