casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / V2FM10-M3/I
Número da peça de fabricante | V2FM10-M3/I |
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Número da peça futura | FT-V2FM10-M3/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | eSMP®, TMBS® |
V2FM10-M3/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 830mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 55µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2FM10-M3/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | V2FM10-M3/I-FT |
S07B-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07D-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07D-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07G-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel