casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / V20120SG-E3/4W
Número da peça de fabricante | V20120SG-E3/4W |
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Número da peça futura | FT-V20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
V20120SG-E3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20120SG-E3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | V20120SG-E3/4W-FT |
VS-APU3006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APU6006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APU6006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
66PQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel