casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / V20120SG-E3/4W
Número da peça de fabricante | V20120SG-E3/4W |
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Número da peça futura | FT-V20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TMBS® |
V20120SG-E3/4W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20120SG-E3/4W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | V20120SG-E3/4W-FT |
VS-APU3006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APU6006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APU6006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
66PQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel