casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / V10P6-M3/86A
Número da peça de fabricante | V10P6-M3/86A |
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Número da peça futura | FT-V10P6-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V10P6-M3/86A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Atual - Média Retificada (Io) | 4.3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 590mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1.9mA @ 60V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10P6-M3/86A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | V10P6-M3/86A-FT |
BAS170WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel