casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / USR1H0R1MDD
Número da peça de fabricante | USR1H0R1MDD |
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Número da peça futura | FT-USR1H0R1MDD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | USR |
USR1H0R1MDD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Capacitância | 0.1µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 1mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 1.5mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.059" (1.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USR1H0R1MDD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | USR1H0R1MDD-FT |
USW1V100MDD1TP
Nichicon
USW1V220MDD1TE
Nichicon
USW1V220MDD1TP
Nichicon
USW1V330MDD1TE
Nichicon
USW1V330MDD1TP
Nichicon
USW1V4R7MDD1TE
Nichicon
USW1V4R7MDD1TP
Nichicon
USW1H0R1MDD1TE
Nichicon
USW1H0R1MDD1TP
Nichicon
USW1HR22MDD1TE
Nichicon
XC3S250E-4TQG144I
Xilinx Inc.
A3P125-2TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX100-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGTMC7K3F40I2N
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation