casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / USR1E101MDD1TD
Número da peça de fabricante | USR1E101MDD1TD |
---|---|
Número da peça futura | FT-USR1E101MDD1TD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | USR |
USR1E101MDD1TD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 100µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 25V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 115mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 172.5mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.138" (3.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.315" Dia (8.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USR1E101MDD1TD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | USR1E101MDD1TD-FT |
USR1A220MDD1TE
Nichicon
USR1A220MDD1TP
Nichicon
USR1A330MDD1TE
Nichicon
USR1A330MDD1TP
Nichicon
USR1C100MDD1TE
Nichicon
USR1C100MDD1TP
Nichicon
USR1C220MDD1TE
Nichicon
USR1C220MDD1TP
Nichicon
USR1H010MDD1TE
Nichicon
USR1H2R2MDD1TE
Nichicon
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP3C55F484I7N
Intel
10M16DCF484A7G
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation