casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / USR0J331MDD1TD
Número da peça de fabricante | USR0J331MDD1TD |
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Número da peça futura | FT-USR0J331MDD1TD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | USR |
USR0J331MDD1TD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 330µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 180mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 270mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.138" (3.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.315" Dia (8.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USR0J331MDD1TD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | USR0J331MDD1TD-FT |
USR0J330MDD
Nichicon
USR0J470MDD1TE
Nichicon
USR0J470MDD1TP
Nichicon
USR1A220MDD
Nichicon
USR1A220MDD1TE
Nichicon
USR1A220MDD1TP
Nichicon
USR1A330MDD1TE
Nichicon
USR1A330MDD1TP
Nichicon
USR1C100MDD1TE
Nichicon
USR1C100MDD1TP
Nichicon
XC7S6-2FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256A
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
10CL040YU484C8G
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
XC6VLX240T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation