casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / USP1V100MDD
Número da peça de fabricante | USP1V100MDD |
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Número da peça futura | FT-USP1V100MDD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | USP |
USP1V100MDD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 10µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 35V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Bi-Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 37mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 55.5mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.098" (2.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USP1V100MDD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | USP1V100MDD-FT |
USR1C220MDD1TP
Nichicon
USR1H010MDD1TE
Nichicon
USR1H2R2MDD1TE
Nichicon
USR1H2R2MDD1TP
Nichicon
USR1H3R3MDD1TE
Nichicon
USR1H3R3MDD1TP
Nichicon
USR1H4R7MDD1TE
Nichicon
USR1V4R7MDD1TE
Nichicon
USR1V4R7MDD1TP
Nichicon
USR1H3R3MDD
Nichicon
LCMXO640E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-3N
Intel
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP1S40F1508C7N
Intel