casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / USA1V4R7MDD1TE
Número da peça de fabricante | USA1V4R7MDD1TE |
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Número da peça futura | FT-USA1V4R7MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | USA |
USA1V4R7MDD1TE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 4.7µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 35V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 24mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 36mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.059" (1.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1V4R7MDD1TE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | USA1V4R7MDD1TE-FT |
USA1C100MDD1TP
Nichicon
USA0J101MDD
Nichicon
USA1H100MDD
Nichicon
USV1H010MFD
Nichicon
USA1V220MDD1TP
Nichicon
USA1E330MDD1TP
Nichicon
USV1V100MFD
Nichicon
USA0J470MDD
Nichicon
USV1C100MFD
Nichicon
USA1V100MDD1TP
Nichicon
XC3S2000-4FGG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F23C7N
Intel