casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / USA1H0R1MDD
Número da peça de fabricante | USA1H0R1MDD |
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Número da peça futura | FT-USA1H0R1MDD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | USA |
USA1H0R1MDD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Capacitância | 0.1µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 1mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 1.5mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.059" (1.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1H0R1MDD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | USA1H0R1MDD-FT |
USV1E100MFD
Nichicon
USV1HR22MFD
Nichicon
USV1HR47MFD
Nichicon
USA0J220MDD
Nichicon
USA1H2R2MDD
Nichicon
USA1V330MDD
Nichicon
USA1C101MDD
Nichicon
USA1V100MDD
Nichicon
USA1C470MDD1TP
Nichicon
USA1H2R2MDD1TP
Nichicon
XC4008E-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1VQG100T
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD6N2F45I2N
Intel
XC6SLX45-L1CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S60B956I7
Intel
EP20K400ERC240-3
Intel