casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / USA1H0R1MDD1TE
Número da peça de fabricante | USA1H0R1MDD1TE |
---|---|
Número da peça futura | FT-USA1H0R1MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | USA |
USA1H0R1MDD1TE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Capacitância | 0.1µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 1mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 1.5mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.059" (1.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1H0R1MDD1TE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | USA1H0R1MDD1TE-FT |
USV1HR22MFD
Nichicon
USV1HR47MFD
Nichicon
USA0J220MDD
Nichicon
USA1H2R2MDD
Nichicon
USA1V330MDD
Nichicon
USA1C101MDD
Nichicon
USA1V100MDD
Nichicon
USA1C470MDD1TP
Nichicon
USA1H2R2MDD1TP
Nichicon
USV1C100MFD1TE
Nichicon
EP1S10B672C7
Intel
EP3CLS100U484I7N
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGXEB5R2F40I3N
Intel
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
XC4005E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC7K480T-L2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX09-FPQG160
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation