casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / USA1A470MDD1TE
Número da peça de fabricante | USA1A470MDD1TE |
---|---|
Número da peça futura | FT-USA1A470MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | USA |
USA1A470MDD1TE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 47µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 10V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 59mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 88.5mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.098" (2.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1A470MDD1TE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | USA1A470MDD1TE-FT |
USV1H220MFD1TA
Nichicon
USV1V330MFD1TA
Nichicon
USV0J101MFD
Nichicon
USV0J101MFD1TE
Nichicon
USV0J101MFD1TP
Nichicon
USV0J221MFD1TD
Nichicon
USV1A101MFD1TD
Nichicon
USV1A470MFD1TE
Nichicon
USV1A470MFD1TP
Nichicon
USV1C101MFD1TD
Nichicon
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-FPLG68
Microsemi Corporation
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7K160T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG324C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1508C6N
Intel
5SGSMD4H1F35C2N
Intel