casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / US6T8TR
Número da peça de fabricante | US6T8TR |
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Número da peça futura | FT-US6T8TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
US6T8TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potência - Max | 400mW |
Freqüência - Transição | 400MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TUMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6T8TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | US6T8TR-FT |
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2003D1
STMicroelectronics
ULQ2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1
STMicroelectronics
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP2-8E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FG256
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGSMD3E3H29I4N
Intel
A40MX04-1PL44I
Microsemi Corporation
LFX200EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
Intel